@prefix nht: <http://data.loterre.fr/ark:/67375/NHT> .
@prefix skos: <http://www.w3.org/2004/02/skos/core#> .
@prefix isothes: <http://purl.org/iso25964/skos-thes#> .
@prefix inist: <http://www.inist.fr/Ontology#> .

nht:-Dispositif__Appareillage
  skos:prefLabel "Dispositif / Appareillage"@fr, "Device / Apparatus"@en ;
  a isothes:ConceptGroup, skos:Collection ;
  skos:member nht:-S84C61NW-8 .

nht:
  skos:prefLabel "Vocabulario de física de la materia condensada"@es, "Vocabulaire de physique de l'état condensé"@fr, "Condensed matter physics vocabulary"@en ;
  a skos:ConceptScheme .

nht:-S84C61NW-8
  skos:hiddenLabel "p n junction"@en, "Unión p n"@es, "Jonction p n"@fr ;
  skos:prefLabel "unión p-n"@es, "jonction p-n"@fr, "p-n junction"@en ;
  skos:exactMatch <https://en.wikipedia.org/wiki/P–n_junction>, <https://www.wikidata.org/wiki/Q176300> ;
  inist:semCategory "Dispositif / Appareillage"@fr, "Device / Apparatus"@en, "Dispositivo / Aparatos"@es ;
  skos:definition "En physique des semi-conducteurs, zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de dépétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. (d'après wikipédia)"@fr ;
  a skos:Concept ;
  skos:inScheme nht: .

